МОНТАЖ (франц. montage - подъём установка, сборка, от monter - поднимать), сборка и установка сооружений конструкций, технологического оборудования агрегатов, машин (см. Сборка машин, аппаратов, приборов и др. устройств и готовых частей и элементов.
МОНТАЖ в строительстве - основной производственный процесс, выполняемый при возведении зданий и сооружений или и реконструкции, в результате которого устанавливают в проектное положение строительные конструкции, инженерное технологическое оборудование и др. МОНТАЖ технологического оборудования включает также присоединение его к источникам энергоснабжения системам очистки и удаления отходов оснащение приборами, средствами автоматизации и контроля.
СТРОИТЕЛЬНО-МОНТАЖНЫЕ ОРГАНИЗАЦИИ в СССР, организационно обособленные производственно-хозяйственные единицы, основным видом деятельности которых является строительство новых, реконструкция, капитальный ремонт и расширение действующих объектов (предприятий, их отдельных очередей, пусковых комплексов, зданий, сооружений), а также монтаж оборудовани я. К государственным СТРОИТЕЛЬНО-МОНТАЖНЫМ ОРГАНИЗАЦИЯМ относятся строительные и монтажные тресты (тресты-площадки, тресты гор. типа, территориальные, союзные специализированные тресты); домостроительные, заводостроительные и сельские строительные комбинаты; строительные, (монтажные) управления и приравненные к ним организации (напр., передвижные механизированные колонны, строительно-монтажные поезда и др.).
ПРОЕКТИРОВАНИЕ (от лат. projectus, буквально - брошенный вперёд), процесс создания проекта - прототипа, прообраза предполагаемого или возможного объекта, состояния. Различают этапы и стадии ПРОЕКТИРОВАНИЯ, характеризующиеся определённой спецификой. Предметная область ПРОЕКТИРОВАНИЯ постоянно расширяется. Наряду с традиционными видами ПРОЕКТИРОВАНИЯ (архитектурно-строительным, машиностроительным, технологическим и др.) начали складываться самостоятельные направления ПРОЕКТИРОВАНИЯ человеко-машинных систем (решающих, познающих, эвристических, прогнозирующих, планирующих, управляющих и т. п.) (см. Система "человек и машина"), трудовых процессов, организаций, экологическое, социальное, инженерно-психологич., генетическое ПРОЕКТИРОВАНИЕ и др. Наряду с дифференциацией ПРОЕКТИРОВАНИЯ идёт процесс его интеграции на основе выявления общих закономерностей и методов проектной деятельности.
ПРОМСТРОЙПРОЕКТ, проектный институт в ведении Госстроя СССР. Находится в Москве. Организован в 1933. В составе института архитектурно-строительные и конструкторские отделы; ПРОМСТРОЙПРОЕКТ возглавляет объединение "Союзхимстройниипроект" с проектными институтами в Киеве, Ростове-на-Дону, Тольятти, Алма-Ате. Разрабатывает проекты (архитектурно-строительные и сан.-технич. части) производственных зданий и сооружений крупнейших промышленных предприятий автомобильной, машиностроит., металлургич., химич. и др. отраслей пром-сти; схемы генеральных планов пром. узлов и упорядочения существующих пром. районов; мероприятия по повышению уровня индустриализации строительтсва за счёт унификации и типизации зданий, сооружений и конструкций и внедрения эффективных строит. материалов; нормативные документы и методич. указания по проектированию пром. зданий и сооружений. Периодически публикует реферативную информацию "Строительное проектирование промышленных предприятий". Награждён орденом Трудового Красного Знамени (1958)
| о длина соответствует времени задержки сигнала (т~ мсек или долей мсек). Применяется в радиолокации и измерительной технике. Для т~ нсек или псек используются сверхпроводящие меандры - извилистые линии из узких тонких сверхпроводящих плёнок на диэлектрической подложке. Изменяя внеш. полем распределённую индуктивность такой линии, можно управлять временем задержки т. Применяются также Параэлектрические фильтры и линии задержки.
Охлаждение в К. достигается различными методами. Криостат, к-рый обычно служит оболочкой прибора, часто соединяют с криогенной установкой. Для охлаждения используются также Джоуля - Томсона эффект, Пелътъе эффект, Эттингсгаузена эффект, магнитное охлаждение и др. В приборах для космич. исследований охлаждение и поддержание низких темп-р достигается за счёт использования отвердевших газов (1 кг твёрдого азота может находиться в космосе до 1 года).
Иногда неск. приборов помещают в общий криостат, к-рый может выполнять также определённые функции, напр. служить антенной. Т. о. осуществляют интеграцию. Развитие К. особенно интегральной, приводит к увеличению надёжности приборов, уменьшению их габаритов, веса и расширяет области их применения (рис. 7).
Лит.: Б р э м е р Д ж., Сверхпроводящие устройства, пер. с англ., М., 1964; Крайзмер Л. П., Устройства хранения дискретной информации, 2 изд., Л., 1969; Алфеев В. Н., Радиотехника низких температур, М., 1966; его же, Криогенная электроника, "Известия ВУЗОВ. Радиоэлектроника", 1970, т. 13, в. 10, с. 1163 - 1175; Электронная техника. Серия 15, Криогенная электроника, в. 1, М., 1969, с. 3; Малков М., Данилов И., Криогеника, М., 1970; Уильяме Д ж., Сверхпроводимость и ее применение в 'технике, перевод с английского, М., 1973.
В. Н. Алфеев.
КРИП (англ. creep), малоупотребительный синоним ползучести.
КРИППС (Cripps) Ричард Стаффорд (24.4.1889, Лондон, - 21.4.1952, Цюрих), английский гос. деятель, лейборист. По профессии адвокат. В 1931-50 чл. палаты общин. В 30-е гг. был одним из лидеров левого крыла Лейбористской партии; в 1934-35 чл. исполкома партии. В предвоен. годы К. был сторонником отпора фаш. агрессии и укрепления коллективной безопасности с участием СССР. Выступал за единый фронт всех левых орг-ций, включая компартию, за что в янв. 1939 был исключён из Лейбористской партии. С приходом к власти правительства У. Черчилля К. был назначен послом в СССР (занимал этот пост в мае 1940 - янв. 1942). От имени Великобритании подписал в июле 1941 соглашение с СССР о совместных действиях в войне против фаш. Германии. В марте 1942 возглавлял спец. англ. миссию в Индию (см. Криппса миссия). Был лидером палаты общин (1942), затем мин. авиац. пром-сти в пр-ве Черчилля (1942-45). В марте 1945 был восстановлен в Лейбористской партии. Занимал посты министра торговли (1945-47), министра экономики (1947), министра финансов (1947-50) в лейбористском правительстве К. Эттли.
КРИППСА МИССИЯ, миссия английского пр-ва в Индию в марте 1942, во время 2-й мировой войны 1939-45, возглавленная Р. С. Криппсом. Цель К. м.- укрепить позиции Великобритании в Индии путём уступок инд. нац. движению. К. м. вела переговоры с лидерами инд. поли-тич. партий на основании следующей декларации англ. пр-ва: Великобритания обязуется сразу после окончания войны предоставить Индии права доминиона; для выработки новой конституции будет создан орган, куда войдут представители как Брит. провинций, так и княжеств; провинции и княжества, к-рые не пожелают войти в Индийский Союз, могут либо сохранить прежние отношения с Великобританией, либо образовать отд. доминионы. В связи с тем, что руководство крупнейшей партии Индии - Национального конгресса - отвергло эти предложения (ибо они не предполагали создания индийского нац. пр-ва до окончания войны), переговоры Криппса окончились провалом.
КРИПТА (от греч. krypte - крытый подземный ход, тайник), 1) в Др. Риме - любое сводчатое подземное или полуподземное помещение. 2) В ср.-век. западно-европ. архитектуре - часовня под храмом (обычно под алтарной частью), использовавшаяся как место для почётных погребений. К. были широко распространены в архитектуре раннего средневековья.
Крипта Сен-Лоран в Гренобле. Конец 8 в.
КРИПТИИ (греч. krypteia), в Спарте (Др. Греция) проводившиеся периодически гос-вом карат. экспедиции против илотов; осуществлялись силами гл. обр. спартанской молодёжи. Цель К. - держать в постоянном страхе илотов, уничтожая наиболее активную часть их. К. придавалось большое значение с точки зрения воен. воспитания и тренировки спартиатов. К. назывались также сами
отряды спартанской молодёжи, несущие в течение двух лет полицейскую службу.
Лит.: Бергер А. К., Социальные движения в древней Спарте, М., 1936; Lеаnmaiге Н., La cryptie Lacedemonienne, "Revue des etudes greques", 1913, v. 26, № 117, p. 121-50.
КРИПТИЧЕСКАЯ ОКРАСКА (от греч. kryptos - скрытый), сходство нек-рых животных по цвету и рисунку с фоном, делающее их незаметными для врагов или для жертв. См. Покровительственная окраска и форма.
КРИПТО... (от греч. kryptos - тайный, скрытый), составная часть сложных слов, соответствующая по значению основе "тайно..." или означающая что-либо скрытое, тайное (напр., криптофиты).
КРИПТОГАМЫ (от крипто... и греч. gamos - брак), растения, не имеющие цветков (напр., папоротники, хвощи, мхи, грибы); то же, что тайнобрачные растения.
КРИПТОГРАФИЯ (от крипто... и ...графин), тайнопись, специальная система изменения обычного письма, используемая с целью сделать текст понятным лишь для ограниченного числа лиц, знающих эту систему. Различные способы К. применялись для зашифровки военных, дипломатич., торгово-финанс., нелегально-политич., религиозно-еретич. текстов; служат для игры в разгадывание (детская К., ребусы и т. п.). К. известна с древнейших времён на Др. Востоке, в Др. Греции и Риме, в рус. памятниках- с 12-13 вв. В слав, рукописях, кроме основных функций, употреблялась для отделения культового текста от приписок, указаний чтецу и т. д., в заговорах - как магическое средство. Известны следующие осн. способы К.: 1) употребление иного алфавита (напр., в рус. памятниках глаголица, греч., лат.); 2) изменение знаков (напр., приписывание дополнит. чёрточек, недописывание букв, т. н. полусловица); 3) условные знаки или цифры; 4) замена одних букв другими по их месту в алфавите (напр., т. н. литорея) или их числовому значению; 5) запись текста в виде нек-рой фигуры, иногда вкрапленной в др. текст (напр., акростих); 6) написание слов в обратном порядке. Надпись или документ, сделанные криптографическим способом, наз. криптограммой.
Лит.: Сперанский М. Н., Тайнопись в югославянских и русских памятниках письма, Л., 1929. В.М.Живов.
КРИПТОДЕПРЕССИЯ (от крипто... и депрессия), затопленное понижение земной поверхности, дно к-рого хотя бы частично опускается ниже уровня моря, а водная поверхность лежит выше этого уровня (напр., оз. Байкал, Ладожское оз.).
КРИПТОЗОЙСКИЙ ЭОН (от крипто... и греч. zoe - жизнь,образ жизни),то же, что докембрий. Термин предложен амер. геологом Дж. Чедвиком (1930) для крупнейшего подразделения геохронологич. шкалы, во время к-рого сформировались докембрийские толщи пород, лишённые явных остатков скелетной фауны. Противопоставляется фанерозоискому зону, где эти остатки встречаются в массовом количестве.
КРИПТОКОККОЗ, европейский б л а с т о м и к о з, глубокое системное грибковое заболевание человека и животных. К. вызывается грибом крипто-кокком (Cryptococcus neoformans) из
группы дрожжеподобных. К.- редкое, тяжёлое заболевание, встречается во всех странах. Источники инфекции для человека и пути распространения болезнетворного начала неизвестны.
К. человека характеризуется преимущественным поражением лёгких, центр. нервной системы, а также кожи и подкожной клетчатки с последующими метастазами во внутр. органы. Распознавание К. сложно; лабораторная диагностика К. состоит в выделении возбудителя. Лечение: медикаментозное (амфо-терицин Б) в сочетании с антикриптокок-ковой кроличьей сывороткой или гамма-глобулином.
К. животных распространён в США, Дании, Италии, Франции, Нидерландах; зарегистрирован в Швейцарии, СССР. Болеют кр. рог. скот, кошки, собаки, обезьяны. В организм животных возбудитель проникает через дыхат. пути и пищеварительный тракт. У кр. рог. скота наблюдается перемежающаяся лихорадка, опухание и болезненность вымени, резкое снижение удоя, при метастазах в лёгкие - пневмония. У собак и кошек поражаются лёгкие, центр. нервная система. У больных животных наблюдается расстройство координации движений, затруднённое дыхание, кашель, иногда слепота. Лечение не разработано. Для профилактики К. решающее значение имеют общие зоогигиенич. и сан. мероприятия.
Лит.: Спесивцева Н. К., Микозы и микотоксикозы, 2 изд., М., 1964.
КРИПТОЛЕМУС (Cryptolaemus montrouzieri), жук сем. божьих коровок. Дл. тела 3-4 мм; голова, переднеспинка и вершины надкрылий красно-жёлтые, остальное тело чёрное. Естественный истребитель червецов - вредителей мн. культурных растений. Родина - Австралия; ввезён в ряд стран. В СССР (в Абхазию) завезён в 1933 для борьбы с опаснейшим вредителем мандаринов - цитрусовым мучнистым червецом; позднее - для борьбы с др. видами червецов. Самки К. откладывают до 300 яиц в яйцекладки червеца; вышедшие личинки поедают яйца червеца; взрослые личинки и жуки питаются червецами и их личинками. В Абхазии даёт 3 поколения в год. К. плохо переносит темп-ру ниже 0°, поэтому на Кавказе его размножают зимой в лабораториях и выпускают жуков в сады и на плантации во время появления яйцекладок 1-го поколения червецов. Использовать можно лишь в условиях влажного климата.
КРИПТОМЕРИЯ (Cryptomeria japoniса), вечнозелёное хвойное дерево сем. таксодиевых. Стройный ствол выс. ок. 50 м с узкой густой кроной. Кора коричневато-красная волокнистая. Листья спирально расположенные, светло-зелёные, линейно-шиловидные, искривлённые у основания. Семенные шишки почти шаровидные, диаметр ок. 2 см, коричневатые, одиночные, созревают в 1-й год и остаются на дереве после рассеивания семян. Родина - Япония и Китай, где в горах образует чистые насаждения. К. выращивают в садах и парках, в СССР - на Черноморском побережье Кавказа и в Крыму. Древесина мягкая, лёгкая, устойчива к гниению, иногда с красивым рисунком, легко поддаётся обработке.
Лит.: Деревья и кустарники СССР, т.1, М. - Л., 1949; D а 1 1 i m о г е W., Jackson А. В., A handbook of Coniferae including Ginkgoaceae, [4 ed.], L., 1966.
КРИПТОН (лат. Kryptonum), Кг, хим. элемент VIII группы периодич. системы Менделеева, относится к инертным газам, ат. н. 36, ат. м. 83,80. На Земле присутствует гл. обр. в атмосфере. Атмосферный К. состоит из смеси 6 стабильных изотопов, среди к-рых преобладает 84Кг (56,90%). Открыт в 1898 У. Рамэаем и М. Траверсом при спектроскопия, изучении труднолетучих фракций жидкого воздуха; назван К. (от греч. kryptos - скрытый). При нормальных условиях 1 м3 воздуха содержит около 1 см3 К. К.- одноатомный газ без цвета и запаха; плотность при О оС и 100 кн/м2 (760 мм рт. ст.) 3,745 г/л, tпл-157,1 оС, tкип-153,2 оС. В твёрдом состоянии К. обладает кубич. решёткой с параметром а = 5,706А (-184 °С). После синтеза в 1961 фторида ксенона было установлено, что и К. способен вступать в хим. реакции. В частности, при взаимодействии К. и фтора (напр., в электрич. разряде) можно получить фториды KrF2 или KrF4, устойчивые только при пониженной темп-ре. Действием раствора Ва(ОН)2 на KrF4 получен криптонат бария ВаКrО4. Как и другие инертные газы, К. образует соединения включения: Кг*6Н2О, Кг*ЗС6Н5ОН и др.
Получают К. при разделении воздуха. Применяют гл. обр. в электровакуумной технике. Криптоновые лампы накаливания служат дольше обычных (с атмосферой азота или аргона), т. к. тяжёлые атомы К. в большей степени препятствуют испарению атомов вольфрама с поверхности раскалённой нити. Электрич. разряд в трубках с разрежённым К. сопровождается белым свечением.
С. С. Бердоносов.
КРИПТОНОВАЯ ЛАМПА НАКАЛИВАНИЯ, лампа накаливания электрическая, колба к-рой наполнена инертным газом криптоном. Благодаря большей атомной массе криптона, чем у обычно применяемой газовой смеси (85% аргона и 15% азота), скорость распыления вольфрамовой нити тела накала К. л. н. при такой же темп-ре меньше. Возможность повышения темп-ры тела накала позволяет увеличить световую отдачу К. л. н. общего назначения при той же ср. продолжительности горения на 15-20% по сравнению с обычными лампами той же мощности, а также уменьшить объём колбы. Уменьшение же объёма колбы лампы сокращает расход криптона и повышает давление в лампе, что также способствует дальнейшему снижению скорости испарения вольфрамовой нити. С целью уменьшения тепловых потерь через газ тело накала К. л. н. выполняется в виде биспирали. Наполнение криптоном применяется и для др. ламп накаливания (напр., рудничных и автомобильных), к-рым необходима возможно большая световая отдача при миним. размерах. В. М. Скобелев.
КРИПТОРХИЗМ (от крипто... и греч. orchis - яичко), аномалия развития человека и нек-рых животных (лошади,собаки и др.), при к-рой яичко при внутриутробном развитии плода не опустилось до своего нормального положения на дно мошонки. Образование сперматозоидов в неспустившемся яичке может быть понижено либо отсутствовать. У человека односторонний К. обычно обусловлен внутрибрюшными сращениями, укорочением семявыносящих протоков, недоразвитием внутр. семенной артерии, узостью пахового канала и т. д. Двусторонний К. обычно связывают с нарушениями гормонального баланса, недостаточностью гонадотропных гормонов и наследственно-биологич. факторами. В зависимости от задержки яичка в полости живота или в паховом канале различают брюшной и паховый К. В ряде случаев к 10-12 годам яичко опускается в мошонку, поэтому у взрослых мужчин К. наблюдается всего в 0,3% случаев, а у детей и подростков (к периоду полового созревания) - в 2-3%.
Лечение: в детском возрасте - гормонотерапия, способствующая ускорению развития яичка (гонадотропный гормон гипофиза, андрогены); при безрезультатности - хирургическое. В. Г. Цомык.
КРИПТОСТОМАТЫ (Cryptostomata), отряд ископаемых мшанок. Колонии К. небольших размеров (до 15 см), преим. сетчатой формы, реже ветвистой, пластинчатой. Известковый скелет пронизан системой капилляров. 3 подотряда включают 10 семейств (ок. 150 родов); были широко распространены в палеозое от ордовика до начала триаса; обитали в морях. Принимали участие в образовании рифов. Имеют важное стратиграфия, значение.
Лит.: Основы палеонтологии. Мшанки, брахиоподы, М., 1960; А с т р о в а Г. Г., Морфология, история развития и система ордовикских и силурийских мшанок, М., 1965; Морозова И, П., Мшанки поздней перми, М.. 1970.
КРИПТОФИТЫ (от крипто... и греч. phyton - растение), многолетние травянистые растения, у к-рых почки возобновления закладываются на корневищах, клубнях, луковицах и находятся под землёй (геофиты, напр. тюльпан) или под водой (гидрофиты). См. Жизненная форма.
КРИПЯКЕВИЧ Иван Петрович [25.6 (7.7).1886, Львов, -21.4.1967, там же], советский историк, акад. АН УССР (1958), засл. деят. науки УССР (1961). В 1908 окончил Львовский ун-т. С 1911 чл. историко-филос. секции Науч. товарищества им. Т. Г. Шевченко. После воссоединения Зап. Украины с УССР (1939) К.- проф. и зав. кафедрой истории Львовского ун-та. С 1951 зав. отделом истории Украины Ин-та обществ. наук АН УССР во Львове, с 1953 директор этого ин-та. К.- автор мн. работ по истории Украины периода феодализма. Его работы до 40-х гг. носят отпечаток влияния концепций школы М.С. Грушевского. В сов. время К. опубликовал ряд исследований, гл. обр. по истории народно-освободит. войны 1648-54.
Соч.: Богдан Хмельницький, К., 1954; Звязки Захiдноi Украiни з Pocieю до сер. XVII ст.. К., 1953.
КРИС (малайск. kris), холодное оружие мн. народов Малайзии и Индонезии - стальной кинжал с пламевидным или змеевидным изгибами лезвия и богато украшенной рукояткой из дерева, кости, рога. В прошлом К. был обязат. принадлежностью мужского костюма. В годы колон. господства право носить его сохранили лишь представители аристократии и деревенской администрации. Ныне К. хранят в семьях как фамильную ценность.
КРИСПИ (Crispi) Франческо (4.10.1818, Рибера, Сицилия, -11.8.1901, Неаполь), итальянский гос. деятель, адвокат. В период Рисорджименто - участник Революции 1848-49, сподвижник Дж. Гарибальди по экспедиции "Тысяча". После объединения Италии стал рьяным поборником монархии. В 80-х гг.- один из лидеров т. н. Левой-парламентской группировки итал. буржуазии. Будучи в 1887- 1891 и 1893-96 премьер-министром, К. в области внутр. политики проводил жёсткий антидемократич. курс (реакц. закон об обществ. безопасности 1889, кровавая расправа с восставшими крестьянами в Сицилии и рабочими в Масса-Карраре в 1893-94, запрещение социа-листич. партии в 1894-95 и т. д.). Внеш. политика К. характеризуется укреплением связей Италии с др. членами Тройственного союза 1882 и экспансией в Африке, где было начато создание колоний в Сомали (1889) и Эритрее (1890); однако провал попытки захватов в Эфиопии (1896) и политики "железного кулака" внутри страны вынудили К. уйти с поли-тич. арены. B.C. Бондарчук.
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, образование кристаллов из паров, растворов, расплавов, вещества в твёрдом состоянии (аморфном или другом кристаллическом), в процессе электролиза и при химич. реакциях. К. приводит к образованию минералов. К. воды играет важную роль в атмосферных и почвенных явлениях. К. лежит в основе металлургии, получения полупроводниковых, оптических, пьезоэлектрических и др. материалов, плёнок для микроэлектроники, металлических покрытий, широко используется в химич., пищ., мед. пром-сти (очистка веществ, произ-во удобрений, соли, сахара, химикалиев, лекарств).
Условия К. Если кристалл не плавится, не растворяется, не испаряется и не растёт, то он находится в термодинамич. равновесии сматочной средой (расплавом , раствором или паром ). Равновесие кристалла с расплавом того же вещества возможно лишь при темп-ре плавления Тпл, а равновесие с раствором и паром - если последние насыщены. Пересыщение или переохлаждение среды- необходимое условие для роста погружённого в неё кристалла, причём скорость роста кристалла тем больше, чем больше отклонение от равновесия.
К.- фазовый переход вещества из состояния переохлаждённой (пересыщенной) маточной среды в кристаллич. соединение с меньшей энергией. Избыточная энергия выделяется при К. в виде скрытой теплоты К. Часть этой теплоты может превращаться в механич. работу; напр., растущий кристалл может поднимать положенный на него груз, развивая кристаллизационное давление порядка десятков кГ/см2. В частности, кристаллы солей, образующиеся в порах бетонных плотин в морской воде, могут вызывать разрушение бетона.
Выделение скрытой теплоты К. ведёт к нагреванию расплава, уменьшению переохлаждения и замедлению К., которая заканчивается исчерпанием вещества или достижением равновесных значений темп-ры, концентрации и давления.
Зародыши К. Переохлаждённая среда может долго сохранять, не кристаллизуясь, неустойчивое метастабильное состояние (напр., мелкие, диаметром 0,1 мм капли хорошо очищенных металлов можно переохладить до темп-ры ~0,8 Тпл). Однако при достижении нек-рого предельного для данных условий критического переохлаждения в жидкости или паре почти мгновенно возникает множество мелких кристалликов (зароды-ш е и). Происходит спонтанная К. Возникшие кристаллики растут и, т. к. переохлаждение уменьшается, новые зародыши, как правило, больше не возникают. Критич. переохлаждение зависит от темп-ры, концентрации, состава среды, её объёма, от присутствия посторонних частиц (напр., пылинок, на к-рых образуются зародыши, кристалликов др. веществ и т. п.), от материала и состояния поверхности стенок сосуда, от интенсивности перемешивания, действия излучений и ультразвука.
При зарождении атомы или молекулы кристаллизующегося вещества объединяются в кристаллич. агрегаты. Объединение частиц в агрегат уменьшает свободную энергию системы, а появление новой поверхности - увеличивает. Чем меньше агрегат, тем большая доля его частиц лежит на поверхности, тем больше роль поверхностной энергии. Поэтому с увеличением размера r агрегата работа А, требующаяся для его образования, вначале увеличивается, а затем падает (рис. 1). Агрегат, для к-рого работа образования максимальна, наз. критическим зародышем (гкр). Чем меньше работа образования зародыша, тем вероятнее его появление. С этим связано преимущественное зарождение на посторонних частицах (в особенности заряженных), на поверхностях твёрдых тел и на их дефектах. Такое зарождение паз. гетерогенным. При К. на поверхности твёрдого тела зарождение происходит преим. на неоднородностях поверхности. При этом кристаллики "декорируют" дефекты и неоднородности. Гомогенное зарождение в объёме чистой жидкости возможно лишь при очень глубоких переохлаждениях. С понижением темп-ры и с ростом переохлаждения уменьшается работа образования зародыша, но одновременно падает и вязкость жидкости, а с нею и частота присоединения новых частиц к кристаллич. агрегатам. Поэтому зависимость скорости зарождения от темп-ры имеет максимум (рис. 2). При низких темп-рах подвижность частиц жидкости столь Мала, что расплав твердеет, оставаясь аморфным,- возникает стекло.
Выращивание крупных совершенных монокристаллов часто ведут из метаста-бильных растворов и расплавов, вводя в них небольшие затравочные кристаллы и избегая самопроизвольного зарождения. Наоборот, в металлургич. процессах стремятся иметь макс. число зародышей.
Эпитаксия. Кристаллы, возникающие на поверхностях др. кристаллов, ориентированы относительно них закономерно. Напр., при К. Аu (из атомарного пучка) на поверхности кристалла NaCl кристаллики Аи ориентированы параллельно грани NaCl либо гранями куба, либо гранями октаэдра. Явление ориентированного нарастания наз. зпитаксией Эпитаксия из газовой фазы происходит, если темп-pa подложки выше нек-рой критической (если темп-pa ниже, то кристаллики ориентированы хаотично) и сильно зависит от чистоты и дефектности подложки, состава окружающей среды, а также от предварит. облучения подложки электронами или рентгеновскими лучами. Подложка ориентирует кристаллики даже через тонкие (~ 1000А) плёнки угля, поливинилхлорида, окиси цинка, селена, если последние нанесены не в сверхвысоком вакууме.
Эпитаксия используется для получения монокристаллич. плёнок, применяемых, в частности, в микроэлектронике. При этом на монокристальной подложке образуются отдельные, одинаково ориентированные кристаллики, к-рые затем срастаются в сплошную плёнку. Чистота и совершенство подложки сильно влияют на качество плёнки и её структуру. Дефекты плёнки возникают на примесях, а также в местах срастания отд. кристалликов.
Рост кристаллов. Из слабо переохлаждённых паров, растворов и реже расплавов кристаллы растут в форме многогранников. Их наиболее развитые грани обычно имеют простые кристаллографич. индексы (см. Миллеровские индексы), напр. для алмаза это грани куба и октаэдра. Взаимная ориентация граней, как правило, такова, что размер каждой из них тем больше, чем меньше её скорость
Рис. 3. Пластинчатый кристалл паратолу-идина в поляризованном свете; каждая линия - ступень на поверхности кристалла. По разные стороны от ступени толщина кристалла, а следовательно, и интенсивность прошедшего света и окраска (в скрещённых николях) различны.
роста. Т. к. скорость роста увеличивается с переохлаждением по-разному для разных граней, то с изменением переохлаждения меняется и облик (габитус) кристалла. Рост простых кристаллографич. граней идёт послойно, так что края незавершённых слоев - ступени - движутся при росте вдоль грани. Высота ступени, т. е. толщина откладывающегося слоя, колеблется от долей мм до неск. А. На тонких двупреломляющих кристаллич. пластинках ступени наблюдаются в поляризованном свете как границы областей различной окраски (рис. 3). Тонкие ступени наблюдают методом де-корирования, а высокие ступени - непосредственно, с помощью оптического или электронного микроскопов. Тонкие ступени движутся при росте быстрее толстых, догоняют их и сливаются с ними. В свою очередь, высокие ступени расщепляются на более низкие. Формирующаяся т. о. ступенчатая структура поверхности сильно зависит от условий роста (темп-ры, пересыщения, состава среды) и влияет на совершенство формы кристалла. Напр., появление на кристаллах сахарозы высоких ступеней ведёт к захвату капелек маточного раствора и растрескиванию кристаллов.
Если кристалл содержит винтовую дислокацию, то его атомные слои подобны этажам гаража с винтовым выездом в середине. Надстройка такого кристалла происходит присоединением атомов к торцу последней ступени (рис. 4, а). В результате кристаллический слой растёт, непрерывно накручиваясь сам на себя, надстраивая дислокацию, а ступень в процессе роста принимает форму спирали (рис. 4, б,в). Дислокация обеспечивает при малых переохлаждениях квадратичную зависимость скорости роста грани от переохлаждения (пересыщения), т. е. заметную скорость роста уже при малых отклонениях от равновесия.
В случае бездислокационного кристалла отложению каждого нового слоя должно предшествовать его зарождение. При малых пересыщениях новые слои зарождаются лишь около дефектов поверхности, а при больших отклонениях от равновесия и на совершенных кристаллах зарождение слоев возможно в любых точках поверхности. При больших отклонениях от равновесия как зародышевый, так и дислокационный механизмы создают высокую плотность ступеней, а скорость роста увеличивается с переохлаждением линейно.
Ступени, расходящиеся по грани от уколов, царапин, а при больших пере-сыщениях от вершин кристалла, образуют холмики роста. Поверхность растущей грани целиком состоит из них. Склоны холмиков отклонены от грани на углы порядка неск. градусов, причём тем меньше, чем меньше пересыщение.
Из расплава кристаллы (напр., для большинства металлов) часто растут не огранёнными, а округлыми. Округлые поверхности растут не послойно (тангенциально), а нормально, когда присоединение новых частиц к кристаллу происходит практически в любой точке его поверхности.
Поверхности кристаллов, растущих послойно, являются атомно гладкими. Это означает, что осн. масса возможных атомных положений в слое занята (рис. 5). Поверхности, растущие нормально, в атомном масштабе являются шероховатыми. В них количество вакансии и атомов, адсорбированных на поверхности и занимающих отд. места, подлежащие заполнению в след. слое, соизмеримо с полным числом возможных атомных положений (рис. 6). Лтомно шероховатые поверхности, а часто и торцы ступеней на атомно гладких поверхностях содержат множество изломов. На изломах атомы могут переходить в кри-сталлич. фазу поодиночке, не объединяясь в агрегаты и потому не преодолевая связанных с этой коллективностью потенциальных барьеров. Поэтому рост шероховатой поверхности и ступеней обусловлен гл. обр. присоединением отд. частиц к изломам. В результате скорости роста шероховатых поверхностей почти одинаковы во всех направлениях и форма растущего кристалла - округлая, а атомно гладкие поверхности растут послойно. Заполнение каждого нового атомного места в кристалле происходит не сразу, а после многочисл. "проб и ошибок" - присоединений и отрывов атомов или молекул. Характерное число попыток на одно "прочное", необратимое присоединение тем больше, чем меньше отклонение от равновесия. Вероятность появления дефектов при К. падает с ростом числа попыток, т. е. уменьшением пересыщения. Частицы кристаллизующегося вещества поступают к изломам из раствора за счёт диффузии, а при послойном росте из паров - также из адсорбционного слоя благодаря диффузии по поверхности. Скорость роста кристалла из растворов определяется степенью лёгкости отделения строительной частицы от молекул или ионов растворителя и пристройки их к изломам. Скорость роста из расплавов обусловлена лёгкостью изменения относительных положений соседних частиц жидкости, т. е. её вязкостью.
Формы роста кристаллов. Простейшая форма роста - многогранник, причём размеры граней сильно зависят от условий роста. Отсюда пластинчатые, игольчатые и др. формы кристаллов. При росте больших огранённых кристаллов из неподвижного раствора пересыщение выше у вершин и рёбер кристалла и меньше в центр. частях грани. Поэтому вершины становятся ведущими источниками слоев роста. Если пересыщение над центр. участками граней достаточно мало, то грань уже не может больше расти, и вершины обгоняют центры граней. В результате возникают скелетные формы кристаллов (рис. 7). Поэтому совершенные кристаллы выращивают из хорошо перемешиваемых растворов и расплавов.
Примесь, содержащаяся в маточной среде, входит в состав кристалла. Отношение концентрации примеси в кристалле и в среде наз. коэфф. распределения примеси. Захват примеси зависит от скорости роста. Разные грани захватывают при К. разные количества примесей. Поэтому кристалл оказывается как бы сложенным из пирамид, имеющих своими основаниями грани кристалла и сходящимися своими вершинами к его центру (рис. 8). Такой секториальный захват примеси вызван различным строением разных граней.
Если кристалл плохо захватывает примесь, то избыток её скапливается перед фронтом роста и растёт. Обогащённый примесью пограничный слой, из к-рого идёт К., не успевает перестраиваться, в результате чего возникает зонарная структура (полосы на рис. 8). Аналогичная картина возникает, если кристалл обогащается примесью, а пограничный слой обедняется.
При росте кристаллов в достаточно больших объёмах (десятки, сотни см3 и более) перемешивание растворов и расплавов возникает самопроизвольно. В случае раствора слой жидкости вблизи скоро растущих граней обедняется веществом, его плотность уменьшается, что приводит к перемещению вещества вверх (концентрационные поток и). По-разному омывая различные грани, концентрационные потоки изменяют скорости роста граней и облик кристалла. В расплаве из-за нагревания примыкающей к растущему кристаллу жидкости скрытой теплотой К. возникают конвекционные потоки. Скорость, темп-pa и концентрация примесей в конвекционных истоках хаотически колеблются около средних значений. Соответственно меняются скорость роста и состав растущего кристалла, в теле к-рого остаются "отпечатки" последоват. положений фронта К. Образуется зонарная структура кристалла. В металлич. расплавах магнитное поле останавливает конвекцию и уничтожает зонарность.
Если расплав перед фронтом роста переохлаждён, то выступ, случайно возникший на поверхности, попадает в область большего переохлаждения, скорость роста его вершины увеличивается ещё больше и т. д. В результате плоский фронт роста разбивается на округлые купола, имеющие в плоскости фронта форму полос или шестиугольников,- возникает ячеистая структура (рис. 9,а). Линии сопряжения ячеек (канавки) оставляют в теле растущего кристалла дефектные и обогащённые примесью слои, так что весь кристалл оказывается как бы сложенным из гексагональных палочек или пластинок (карандашная структура; рис. 9,6).
Если в переохлаждённом расплаве (растворе) оказывается не плоская поверхность, а маленький кристалл, то выступы на нём развиваются в различных кристаллографич. направлениях, отвечающих макс. скорости роста, и образуют многолучевую звезду. Затем на этих главных отростках появляются боковые ветви, на них - ветви след. порядка,- возникает дендритная форма кристаллов (рис. 10). Несмотря на причудливую древовидную форму, кристаллографическая ориентация дендритного кристалла одинакова для всех его ветвей. Необходимые условия для развития дендритов у кристаллов, растущих послойно,- большое переохлаждение и плохое перемешивание.
При очень малых скоростях роста кристалла из расплава коэфф. распределения вещества перестаёт зависеть от направления и скорости роста и приближается к равновесному значению, определяемому диаграммой состояния.
Образование дефектов при К. Реальные кристаллы всегда имеют неоднородное распределение примеси (секториаль-ная, зонарная, карандашная структуры). Примесь меняет параметр решётки, и на границах областей разного состава возникают внутр. напряжения. Это приводит к образованию дислокаций и трещин. Дислокации при К. из расплава возникают и как результат упругих напряжений в неравномерно нагретом кристалле, а также при нарастании более горячих новых слоев на более холодную поверхность. Дислокации могут "наследоваться", переходя из затравки в выращиваемый кристалл.
Посторонние газы, хорошо растворимые в маточной среде, но плохо захватываемые растущим кристаллом, образуют на фронте роста пузырьки, к-рые захватываются кристаллом, если скорость роста превосходит нек-рую критическую. Так же захватываются и посторонние твёрдые частицы из маточной среды, становящиеся затем в кристалле источниками внутр. напряжений.
Массовая К.- одновременный рост множества кристаллов - широко используется в пром-сти. Для получения кристаллов примерно одинаковой величины и формы используются мельчайшие (~0,1 мм) затравочные кристаллы; процесс ведётся в той области темп-р, где новые зародыши самопроизвольно не возникают.
Спонтанное массовое появление зародышей и их рост происходят при затвердевании отливок металлов. Кристаллы зарождаются прежде всего на охлаждаемых стенках изложницы, куда заливается перегретый металл. Зародыши на стенках ориентированы хаотично, однако в процессе роста "выживают" те из них, у к-рых направление макс. скорости роста перпендикулярно к стенке. В результате у поверхности возникает столбчатая зона, состоящая из почти параллельных узких кристаллов, вытянутых вдоль нормали к поверхности.Конвекционные потоки в расплаве могут обламывать ветви дендритов, поставляя новые затравки. Аналогично действует ультразвук, а также добавление порошков, частицы к-рых служат центрами К., и поверхностно-активных веществ, облегчающих образование зародышей.
Лит.: Шубников А. В., Как растут кристаллы, М. - Л., 1935; его же, Образование кристаллов, М. - Л., 1947; Леммлейн Г. Г., Секториальное строение кристаллов, М. - Л., 1948; Кузнецов В. Д., Кристаллы и кристаллизация, М." 1953; Маллин Дж., Кристаллизация, пер. с англ., М., 1965; X о в и г м а н Б., Рост и форма кристаллов, пер. с нем., М., 1961; Чернов А. А., Слоисто-спиральный рост кристаллов, "Успехи физических наук", 1961, т. 73, в. 2, с. 277; его же, Рост цепей сополимеров и смешанных кристаллов - статистика проб и ошибок, там же, 1970, т. 100, в. 2, с. 277; Матусевич Л. Н., Кристаллизация из растворов в химической промышленности, М., 1968; Палатник Л. С., Папиров И. И., Эпитакснальные пленки, М., 1971. А. А. Чернов.
КРИСТАЛЛИТЫ, мелкие кристаллы, не имеющие ясно выраженной огранённой формы. К. являются кристаллич. зёрна в различных поликристаллич. образованиях: металлических слитках, горных породах, минералах и т. п. (см. Поликристаллы).
КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЁТКА, при сущее веществу в кристаллич. состоянии правильное расположение атомов (ионов, молекул), характеризующееся периодич. повторяемостью в трёх измерениях. Ввиду такой периодичности для описания К. р. достаточно знать размещение атомов в элементарной ячейке, повторением к-рой путём параллельных дискретных переносов (трансляций) образуется вся структура кристалла. В соответствии с симметрией кристалла элементарная ячейка имеет форму косоугольного или прямоугольного параллелепипеда, квадратной или шестиугольной призмы, куба (см. рис.). Размеры рёбер элементарной ячейки а, b, с наз. периодами идентичности.
Математич. схемой К. р., в к-рой остаются лишь геометрич. параметры переносов, но не указывается конкретное размещение атомов в данной структуре, является пространственная решётка. В ней система трансляций, присущих данной К. р., изображается в виде системы точек - узлов. Существует 14 различающихся по симметрии пространственных трансляционных решёток, называемых Браве решётками. К. р. может иметь и дополнит. элементы симметрии - оси, плоскости, центр симметрии. Всего существует 230 пространственных групп симметрии, причём подгруппой, определяющей К. р., обязательно является соответствующая группа переносов (см. Симметрия кристаллов). Существованием К. р. объясняются анизотропия свойств кристаллов, плоская форма их граней, постоянство углов и др. законы геометрич. кристаллографии. Геометрич. измерение кристалла даёт величины углов элементарной ячейки и на основании закона рациональности параметров отношение периодов идентичности. Определение размеров ячеек и размещения в них атомов или молекул, составляющих данную структуру, производится с помощью рентгенографии, нейтронографии или электронографии.
В элементарной ячейке К. р. может размещаться от одного (для химич. элементов) до десятков и сотен (для химических соединений) или тысяч и даже миллионов (белки, вирусы) атомов, в соответствии с чем периоды идентичности составляют от неск. А до сотен и тысяч А. При этом любому атому в данной ячейке соответствует трансляционно равный ему атом в каждой др. ячейке кристалла.
Иногда, если количество атомов того или иного сорта в ячейке невелико и они различаются к.-л. дополнит. качеством, напр. определ. ориентацией магнитного момента, в физике твёрдого тела для их описания вводят понятие подрешёток данной К. р. (см. Магнетизм, Антиферромагнетизм).
Существование К. р. объясняется тем, что равновесие сил притяжения и отталкивания между атомами, дающее минимум потенциальной энергии всей системы, достигается именно при условии трёхмерной периодичности. В простейших случаях это можно интерпретировать геометрически как следствие укладки в кристалле атомов, молекул наиболее плотно друг к другу.
Представление об атомистичности, прерывности К. р. односторонне. В действительности электронные оболочки атомов, объединённых в К. р. химич. связями, перекрываются. Это позволяет рассматривать К. р. как непрерывное периодич. распределение отрицат. заряда, имеющее максимумы около дискретно расположенных ядер.
К. р. не является статич. образованием. Атомы или молекулы, образующие К. р., колеблются около положений равновесия, причём характер колебаний (динамика К. р.) зависит от симметрии, координации атомов, энергии связи. Известны случаи вращения молекул в К. р. С повышением темп-ры колебания частиц усиливаются, что приводит к разрушению К. р. и переходу вещества в жидкоесостояние (см. Колебания кристаллы-уеской решётки).
Реальная структура кристалла всегда отличается от идеальной схемы, описываемой понятием К. р., поскольку, помимо всегда имеющих место тепловых колебаний атомов, трансляционно "равные" атомы могут в действительности отличаться по атомному номеру (изоморфизм), по массе ядра (изотопический изоморфна м). Кроме того, в реальном кристалле всегда имеются различного рода дефекты: примесные атомы, вакансии, дислокации и т. д. (см. Дефекты в кристаллах).
Лит.: Шубников А. В.. Флинт Е. Е., Бокий Г. Б., Основы кристаллографии, М. - Л., 1940; Делоне Б. Н., Александров А., Математические основы структурного анализа кристаллов..., Л. - М., 1934; Белов Н. В., Структура ионных кристаллов и металлических фаз, М., 1947.
Б. К. Вайнштейн, А.А.Гусев.
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ БЛОКИ, области реального кристалла, в к-рых кри-сталлич. решётка имеет не строго одинаковую ориентацию. Размер блоков может колебаться от мкм до неск. см. Блочный характер структуры многих реальных кристаллов обнаруживается, напр., по расщеплению пятен лауэграмм (см. Кристаллы, Рентгеноструктурный анализ).
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ СЧЁТЧИК, прибордля регистрации ионизирующих излучений, основанный на появлении под их действием заметной электропроводности у диэлектриков. К. с. представляет собой монокристалл диэлектрика (обычно алмаз или сульфид кадмия CdS), на противоположные грани к-рого нанесены электроды (рис.); к электродам приложена разность потенциалов. По принципу действия это - твердотельная ионизационная камера. Проходя через кристалл, заряженные частицы вызывают в нём ионизацию. Образующиеся в результате ионизации свободные носители заряда - электроны проводимости и дырки - движутся под влиянием электрич. поля к соответствующим электродам. В результате в цепи К. с. течёт ток. Сила тока является мерой интенсивности потока ионизирующего излучения.
Отд. ионизирующая частица вызывает в цепи К. с. кратковременный импульс тока, к-рый после усиления можно зарегистрировать пересчётным прибором или амплитудным анализатором. При этом амплитуда импульса пропорциональна энергии частицы (если её пробег меньше размеров кристалла). Недостаток К. с.- поляризация диэлектрика. Часть носителей заряда при движении к электродам захватывается дефектами кристаллич. решётки. Возникает внутр. электрич. поле, возрастающее по мере облучения кристалла и ослабляющее действие приложенного внеш. поля. Это приводит к уменьшению амплитуды импульсов и к прекращению счёта. Для устранения поляризации применяют нагрев кристалла, его освещение, приложение перемен-
ного поля и т. п. Простота конструкции К. с., его малые размеры (неск. мм3) и способность нек-рых кристаллов (напр., алмаза) работать при высоких темп-рах делают К. с. удобным для отд. применений, напр. в дозиметрических устройствах. Для отд. измерений, требующих анализа энергий частиц, лучшими свойствами обладает другая разновидность твердотельной ионизационной камеры - полупроводниковый спектрометр.
Лит.: Головин Б. М., О с и п е н-к о Б. П., Сидоров А. И., Гомогенные кристаллические счетчики ядерных излучений, "Приборы и техника эксперимента", 1961, № 6, с. 5; Дирнли Д ж. и Нортроп Д. К., Полупроводниковые счетчики ядерных излучений, пер. с англ., М., 1966.
С. Ф. Козлов.
КРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ПОЛЕ, внутрикристаллическое поле, электрическое поле, существующее внутри кристаллов. Реже К. п. называют также образующееся внутри нек-рых кристаллов магнитное поле. На коротких (порядка межатомных) расстояниях положит. и отрицат. заряды внутри кристалла не компенсируют друг друга и создают электрич. поля. Напряжённость электрич. поля в кристаллах может достигать значений ~ 108 в/см и более.
Понятием К. п. пользуются при расчётах энергетич. спектра парамагнитных ионов в ионных кристаллах и комплексных соединениях. В этом случае электрич. К. п. наз. полем лигандов. К. п. наз. слабым средним или сильным, если энергия взаимодействия электронов парамагнитного иона с К. п. меньше, сравнима или больше энергии спин-орбитального взаимодействия или электро-статич. взаимодействия электронов между собой. Для расчётов К. п. часто пользуются приближением точечных зарядов, когда реальные размеры ионов, атомов или их групп не учитываются и они рассматриваются как точечные заряды или электрические диполи, находящиеся в узлах кристаллической решётки. Потенциал К. п. обладает симметрией, определяющейсясимметрией кристаллов. Величина и симметрия электрич. К. п. в данной точке кристалла зависят от симметрии окружения этой точки и от деформаций в образце, возникающих, напр., под влиянием внеш. воздействий, от наличия примесей, дефектов и электрич. поляризации кристалла. К. п. непрерывно колеблется в небольших пределах относительно своего среднего значения в соответствии с колебаниями кристаллической решётки.
Электрич. К. п. исследуют оптическими и радиоспектроскопическими методами [электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), ядерный магнитный резонанс (ЯМР) и ядерный квадруполъный резонанс (Я КР)]. Для оценки величины и определения локальной симметрии К. п. оптич. методами и методом ЭПР в диамагнитный кристалл (матрицу) часто вводят небольшие количества парамагнитных ионов, к-рые используются в качестве "атомных зондов". Исследование величины и симметрии К. п. позволяет изучить структуру твёрдых тел и энергию взаимодействия ионов с кристаллич. окружением. Такие диамагнитные матрицы с примесью парамагнитных ионов являются основой твердотельных лазеров и квантовых усилителей СВЧ.
Магнитные К. п., значительные по величине, возникают в кристаллах, содержащих парамагнитные ионы и атомы. Различают сверхтонкие и дипольные магнитные К. п. Сверхтонкие поля (105-106 э) обусловлены т. н. сверхтонким взаимодействием магнитных моментов ядер и их электронного окружения и наблюдаются в основном на ядрах магнитных ионов. Диполь-ные магнитные поля создаются в окружающем пространстве парамагнитными ионами как и обычными магнитными диполями. Наибольшие значения дипольных полей 103-104 э, на расстояниях от магнитного иона~10~-8см. Эти значения полей характерны для магнитоупорядоченных кристаллов. В др. случаях магнитные поля быстро флуктуируют под действием тепловых колебаний и их средние значения близки к нулю. Магнитные К. п. в кристаллах исследуются методом ЯМР и с помощью Мёссбауэ-ра эффекта.
Лит.: Бальхаузен К., Введение в теорию поля лигандов, пер. с англ., М.. 1964; Вонсовский С. В., Магнетизм, М., 1971; Туров Е. А., П е т р о в М. П. Ядерный магнитный резонанс в ферро- и ан-тиферро-магнетиках, м., 1969.
М. П. Петров.
КРИСТАЛЛОГИДРАТЫ, кристаллы, включающие молекулы воды. Многие соли, а также кислоты и основания выпадают из водных растворов в виде К. Типичными К. являются многие природные минералы, напр, гипс CaSO4*2H2O, карналлит MgCl2KCl*6H2O. Кристаллизационная вода обычно может быть удалена нагреванием, при этом разложение К. часто идёт ступенчато; так, медный купорос CuSO4*5H2O (синий) выше 105 оС переходит в CuSО4*3H2O (голубой) и CuSO4*H2O (белый); полное обезвоживание происходит выше 250 °С. Однако нек-рые соединения (напр., BeC2O4*H2O) устойчивы только в форме К. и не могут быть обезвожены без разложения. См. также Вода, Минерал.
КРИСТАЛЛОГРАФИИ ИНСТИТУТ им. А. В. Шубннкова А.Н СССР, научно-исследовательский ин-т, занимающийся исследованием структуры, физич. свойств и образования кристаллов. Создан в Москве в 1943 на базе Лаборатории кристаллографии АН СССР, организованной в 1938. Основателем и первым директором К. и. был акад. А. В. Шубников; со дня основания К. и. в нём работает акад. Н. В. Белов. С 1962 директор К. и. чл.-корр. АН СССР Б. К. Вайнштейн.
К. и. внёс большой вклад в развитие теории симметрии кристаллов (теория антисимметрии и цветной симметрии), разработку теории структурного анализа кристаллов, создание структурной электронографии, развитие теории рассеяния рентгеновских лучей и электронов в кристаллах, автоматизацию решения структур. В К. и. выполнены исследования и обобщения в области кристаллохимии силикатов, полупроводниковых соединений, структуры биол. макромолекул, изучен ряд оптич., механич., сегнето- и фо-тоэлектрич. свойств кристаллов, проведены исследования реальной структуры кристаллов и работы по теории дислокаций. Открыт электрич. рельеф поверхности кристаллов.
В К. и. выполнены фундаментальные исследования роста кристаллов, в частности открыт спиральный рост, изучено зародышеобразование, развита теория роста и статистич. кинетики кристаллизации. Созданы новые методики синтеза кристаллов. Работы К. и. и его дочернихпредприятий привели к возникновению в стране пром-сти монокристаллов, необходимых для развития радио-, квантовой и полупроводниковой электроники, оптики, акустики, прецизионного приборостроения и т. д. К. п. и его спец. конструкторское бюро разработали и внедрили в пром-сть уникальную кристаллизационную аппаратуру, автоматич. дифрак-тометры и др. приборы.
Ин-т награждён орденом Трудового Красного Знамени (1969). Б.К.Вайнштейн.
КРИСТАЛЛОГРАФИЯ (от кристаллы и ...графия), наука о кристаллах и кристаллическом состоянии вещества. Изучает симметрию, строение, образование и свойства кристаллов. К. зародилась в древности в связи с наблюдениями над природными кристаллами, имеющими естеств. форму правильных многогранников. К. как самостоят. наука существует с сер. 18 в. В 18-19 вв. К. развивалась в тесной связи с минералогией как дисциплина, устанавливающая закономерности огранки кристаллов (Р. Аюи, 1784). Была развита теория симметрии кристаллов - их внеш. форм (А. В. Гадолин, 1867) и внутр. пространственного строения (Е. С. Фёдоров, 1890; А. Шён-флис, 1891). Совокупность методов описания кристаллов и установленные закономерности составляют содержание геометрической К.
На основе геометрич. К. возникла гипотеза об упорядоченном, трёхмерно-периодическом расположении в кристалле составляющих его частиц, в совр. понимании - атомов и молекул, к-рые образуют кристаллическую решётку. Открытие дифракции рентгеновских лучей в кристаллах экспериментально подтвердило их периодич. решётчатое строение. Первые конкретные рентгенографич. расшифровки атомной структуры кристаллов (NaCl, алмаз, ZnS и др.) были осуществлены начиная с 1913 У. Г. Брэггом и У. Л. Брэггом. Изучение прохождения света через кристаллы (см. Кристаллооптика) позволило сформулировать закономерности анизотропии (неравноценности по направлениям) свойств кристаллов.
Крупный вклад в изучение атомной структуры кристаллов сделан Л. Полин-гом, Д. Кроуфут-Ходжкин, Н. В. Беловым, А. Гинье; в исследование роста кристаллов и их физич. свойств-В. Фох-том, И. Н. Странским, А. В. Шубнико-вым, И. В. Обреимовым.
Совр. К. развивается как одна из областей физики, тесно связанная с химией и минералогией и имеющая широкое тех-нич. применение. Основами её матема-тич. аппарата являются теория групп симметрии кристаллов и тензорное исчисление.
Существует Международный союз кристаллографов, органом к-рого является журнал "Acta Crystallographica". Союз кристаллографов с 1940 издал более 30 томов "Структурного справочника" ("Structure Report"). В СССР издаётся журнал "Кристаллография".
Структурная К. исследует атом-но-молекулярное строение кристаллов с помощью рентгеноструктурного анализа, электронографии, нейтронографии, опирающихся на теорию дифракции волн в кристаллах. Используются также методы оптич. спектроскопии, в том числе инфракрасной спектроскопии, ядерного магнитного резонанса, электронного парамагнитного резонанса и т. д. Изучена кристаллич. структура более 20 тыс. химич. веществ. Законы взаимного расположения атомов и химической связи между ними в кристаллах, их изоморфизма и полиморфизма являются предметом кристаллохимии. Изучение биологических кристаллов позволило определить структуру гигантских молекул белков и нуклеиновых кислот и явилось важным вкладом К. в молекулярную биологию.
Важный раздел К.- теория и экспериментальные исследования процессов зарождения и роста кристаллов. Здесь К. использует общие принципы термодинамики и закономерности фазовых переходов и поверхностных явлений с учётом взаимодействия кристалла со средой, анизотропии свойств и атомно-моле-кулярной структуры кристаллического вещества (см. Кристаллизация). Как самостоят. раздел развивается К. реального кристалла, изучающая разнообразные нарушения идеальной кристаллич. решётки - точечные дефекты, дислокации и др. дефекты в кристаллах, возникающие при росте кристаллов или разнообразных воздействиях на них и определяющие многие их свойства.
Исследования механич., оптич., элект-рич. и магнитных свойств кристаллов являются предметом кристаллофизики, к-рая смыкает К. с физикой твёрдого тела. Для кристаллофизики существенным является рассмотрение свойств кристалла в связи с его симметрией и изменений свойств при внеш. воздействиях. Уникальность свойств мн. кристаллов и их чувствительность к механич. и аку-стич. воздействиям , изменениям темп-ры, чувствительность к электрич. току, электромагнитным полям, различным излучениям и т. п. дали кристаллографич. исследованиям широкий выход в радиотехнику, полупроводниковую электронику и квантовую электронику, технич. оптику и акустику, обработку материалов, приборостроение. В связи с этим возникло и интенсивно развивается произ-во синтетич. кристаллов - кварца, алмаза, германия, кремния, рубина и др.
К. изучает также строение и свойства разнообразных агрегатов из микрокристаллов -поликристаллов, текстур, керамик, а также веществ с атомной упорядоченностью, близкой к кристаллической - жидких кристаллов, полимеров. Симметрийные и структурные закономерности, изучаемые К., находят применение в рассмотрении общих закономерностей строения и свойств конденсированного состояния вещества вообще: аморфных тел и жидкостей, полимеров, биол. макромолекул, надмолекулярных структур и т. п. (обобщённая К.).
Лит.: Шубников А. В., Флинт Е. Е., Бокин Г. Б., Основы кристаллографии, М. - Л., 1940; Попов Г. М., ШафрановскийИ. И., Кристаллография, 4 изд., М., 1964; Белов Н. В., Структурная кристаллография, М., 1951; Бернал Дж. Д., Карлайл С. X., Поля охвата обобщённой кристаллографии. (Обзор). "Кристаллография", 1968, т. 13, № 5; Вайнштейн Б. К., Кристаллография и научно-технический прогресс, там же, 1971, т. 16, в. 2, с. 261.
М. П. Шаскольская.
"КРИСТАЛЛОГРАФИЯ", научный журнал АН СССР, публикующий статьи по проблемам атомной структуры, роста, свойств кристаллов и др. вопросам кристаллографии. Основан в 1956, издаётся в Москве. Ежегодно выходит один том, состоящий из 6 номеров (выпусков). Тираж устанавливается для каждого номера и колеблется в пределах от 1300 до 1700 экз. С 1957 переводится в США на англ. яз. и выходит под назв. "Soviet Physics Crystallography".
КРИСТАЛЛОГРАФОВ СОЮ3 Международный (International Union of Cristallography; М КС), научная организация, осуществляющая международное сотрудничество в области кристаллографии, обмен информацией по теории, экспериментальным методам и применению результатов кристаллографич. исследований. М КС организует также комплексные исследования с привлечением мн. лабораторий мира, занимается накоплением и изданием кристаллографич. информации и работает над стандартизацией единиц измерений, номенклатуры и символов, применяемых в кристаллографии. М КС организован в 1947 при участии сов. учёных. В его составе нац. комитеты кристаллографов 30 стран мира (1972). Нац. комитет сов. кристаллографов вошёл в М КС в 1954.
Во главе М КС стоит президент (в 1966- 1969 сов. акад. Н. В. Белов, с 1972- англ, учёный Д. Кроуфут-Ходжкин). Высший орган М КС - Ген. ассамблея - созывается один раз в 3 года. Её решения осуществляет Исполнит. к-т (10 избираемых членов), созываемый ежегодно. Исполнит. к-т создаёт временные и постоянные комиссии по таким вопросам, как кристаллографич. аппаратура, использование ЭВМ в кристаллографич. расчётах, номенклатура, обучение кристаллографии и др. Бюджет М КС составляют членские взносы, вносимые странами-участницами в сумме, зависящей от числа голосов, принадлежащих каждой из них на Ген. ассамблее, а также дотаций ЮНЕСКО.
Одновременно с Ген. ассамблеей М КС созывает междунар. конгрессы кристаллографов; ежегодно при поддержке М КС организуются симпозиумы и др. междунар. встречи кристаллографов. М КС издаёт справочники, таблицы, журналы. Осн. периодич. издание - журн. "Acta Crystallographica" - издаётся с 1948 (с 1968 выходит в 2 сериях). С 1968 начал выходить "Journal of Applied Crystallography". М КС издал более 30 томов "Структурного справочника", содержащего рефераты работ по исследованиям атомной структуры кристаллов ("Structure Report", с 1940). В.И.Симонов.
1335.htm
КРУЧЕНЮК Пётр Аксентьевич [р. 29. 6(12. 7). 1917, с. Плоть, ныне Рыбницко-го р-на], молдавский советский писатель. Чл. КПСС с 1942. Участник Великой Отечеств. войны 1941-45. Окончил Лит. ин-т им. М. Горького (1958). Первый сб. стихов "В лучах жизни" опубл. в 1939. В 1942 Политуправлением Юж. фронта издан сб. "Фронтовые стихи" (на рус. яз.). После войны вышли сб-ки: "Свежие борозды" (1948), "Поступь весны" (1951), "У нас есть друзья" (1960) и др. Автор сб-ков публицистики - "Из рода в род" (1960), "Разговор с людьми" (1965) и др. В 1970 вышла кн. прозы "Залпы". Награждён 6 орденами, а также медалями.
С о ч.: Версурь алесе, Кшпинэу, 1959; Поеме алесе, Кишинэу, 1961; Де ворбэ ку лумя, Кишинэу, 1965; Вылтоаря дорурилор, Кишинэу, 1968; Ку флуерул ын стеле, Кишинэу, 1970; в рус. пер.- Вербам пел ручей. Стихи, М., 1959; Вестник весны. Стихи. Поэма, М., 1967; Ясность. Десятистишия, М., 1971.
Лит.: Очерк истории молдавской советской литературы, М., 1963.
КРУЧКОВСКИЙ (Kruczkowski) Леон (28. 6. 1900, Краков, - 1. 8. 1962, Варшава), польский писатель и обществ, деятель. С 1945 чл. Польской рабочей партии (с 1948 - Польская объединённая рабочая партия). Род. в семье переплётчика. Окончил хим. ф-т Высшей пром. школы в Кракове (1918). В авг. 1939 как офицер запаса мобилизован в армию. В 1940-45 был в лагере для военнопленных в Германии. Печататься начал в 1918. В первом сб. стихов "Молоты над миром" (1928) звучат антиимпериалистич. протест, вера в революционное преобразование мира, выраженные в несколько абстрактных образах. Этапными в развитии польск. лит-ры стали реалистич. романы К. "Кор-диан и хам" (1932, рус. пер. 1950), "Павлиньи перья" (1935), разоблачающие бурж.-националистич. идеологию, лозунг "единства народа" и т. п., "Тенёта" (1937), в котором сказалось умение К. глубоко проникать в психологию человека и общественной среды. Большим вкладом в антифаш. борьбу явилась публицистика К. 30-х гг. После 1945 выступал преим. как драматург. Его пьесы, получившие мировую известность, - "Возмездие" (1948), "Немцы" (1949), "Первый день свободы" (1960), "Смерть губернатора" (1961) и др. отличаются напряжённой драматичностью действия, остротой конфликтов, жизненной убедительностью характеров, чёткостью авторской позиции. Драматургия К. заложила основы социалистич. театра в ПНР. К. - крупный представитель польск. лит-ры социалистич. реализма. Пред. Союза польск. писателей в 1949-56.
Член Всемирного Совета Мира (1950). Гос. пр. ПНР (1950 и 1955). Междунар. Ленинская пр. "За укрепление мира между народами" (1953).
С о ч.: Dramaty, Warsz., 1962; в рус. пер.- Избранное. [Послесл. А. Г. Пиотровской], М., 1955.
Лит.: Северина Н. |
